9. Легирование объемных кристаллов в процессе выращивания из жидкой фазы: механическая подпитка расплава твердой фазой, механическая подпитка расплава жидкой фазой, механическая подпитка газовой фазой. Выравнивания состава кристаллов изменением условий выращивания.

10. Монокристаллические пленки. Эпитаксия. Особенности гетероэпитаксии. Причины образования структурных дефектов. Жидкостная эпитаксия.

11. Эпитаксия из газообразной фазы: метод химических реакций, метод газотранспортных реакций.

12. Молекулярно-лучевая эпитаксия. Особенности легирования при МЛЭ. Окончательная обработка кремния.

13. Технохимические процессы подготовки подложек полупроводниковых пластин. Виды загрязнений полупроводниковых пластин. Методы предварительной очистки. Отмывка полупроводниковых пластин.

14. Химическая, химико-динамическая, электрохимическая и плазмохимическая обработка п/п пластин.

15. Вакуумная очистка поверхности пластин: метод термической десорбции, ионное травление; метод получения чистой поверхности путем напыления; метод очистки с использованием каталитических реакций; метод скола в вакууме.

16. Литографические процессы. Фоторезисты. Изготовление фотошаблонов.

17. Субтрактивные и аддитивные методы переноса рисунка. Побочные эффекты при травлении. Селективность и контроль размеров элементов.

18. Оптическая литография: контактная, бесконтактная, проекционная печать. Литография с экстремальным ультрафиолетом.

19. Оптическая литография, получение наноструктур. Фазосдвигающие маски. Многослойные резисты. Использование и проблемы оптической литографии.

20. Рентгеновская литография. Принципиальная схема установки для рентгеновской литографии. Резисты и шаблоны для рентгеновской литографии.

21. Электронно-лучевая литография. Проекционная электронно-лучевая литография. Система с точной передачей размеров. Система с уменьшением изображения. Лучевые сканирующие системы. Способы перемещения пучка.

22. Жидкостное травление.

23. Методы «сухого» травления.

24. Химико-динамическая полировка. Двойной «дамасцен» процесс.

25. Легирование методом термической диффузии примесей. Диффузия из постоянного внешнего источника. Диффузия из конечного поверхностного источника.

26. Ионная имплантация. Ее применение в технологии СБИС.

27. Отжиг легированных структур.

28. Осаждение диэлектрических пленок и поликристаллического кремния.

29. Термическое окисление кремния. Плазмохимическое окисление кремния.

30. Сравнение различных методов осаждения пленок.

31. Основы толстопленочной технологии. Толстопленочные пасты. Трафаретная печать. Вжигание.

32. Осаждение тонких пленок: термическое вакуумное напыление; электронно-лучевое испарение; распыление ионной бомбардировкой.

33. Осаждение тонких пленок: катодное распыление; высокочастотное распыление; магнетронное распыление.

34. Химическое осаждение из газовой фазы. Классификация процессов ХОГФ функциональных слоев ИС. Функциональные слои ИС, осаждаемые в процессах ХОГФ.

35. Классификация оборудования для химического осаждения из газовой фазы.

36. Системы многоуровневой металлизации. Контактные слои для нанотехнологии. Барьерные слои для медной металлизации

37. Коммутационные платы микросборок. Тонкопленочные платы. Тонкопленочные платы на основе анодированного алюминия

38. Толстопленочные платы. Платы на основе многослойной керамики.

39. Крепление подложек и кристаллов. Типы корпусов и технология их производства

40. Электрический монтаж кристаллов ИС на коммутационных платах. Специальные вопросы герметизации.

41. Основы технологии производства n-МОП СБИС. Технология производства биполярных СБИС.

42. Основы технологии производства КМОП СБИС. Принципы построения производства микроэлектронных изделий.

43. Особенности технологического маршрута изготовления интегральных схем на основе GaAs и полупроводниковых гетероструктур соединений группы А3B5.

44. Основные методы создания наноструктур. Зондовые методы нанолитографии.

45. Нанопечать: чернильная печать и тиснение. Сравнение нанолитографических методов

46. Метод локального зондового окисления. Физико-химические основы. Особенности создания электропроводящих зондов.

47. Кинетика процесса локального зондового окисления полупроводников и сверхтонких металлических пленок. Метод формирования диэлектрической пленки, модулированной по толщине. Локальное химическое осаждение из газовой фазы.

48. Элементная база наноэлектроники на основе зондовых нанотехнологий. Зондовое формирование полимерных микропроводников.

49. Методы формирования металлических квазиодномерных микроконтактов на подложках. Металлическая наноэлектроника.

50. Нанотранзисторы на основе углеродных нанотрубок. Инверторы. Метод приготовления проводников на основе пучка углеродных нанотрубок. Углеродная наноэлектроника.

51. Саморегулирующиеся процессы. Самосборка в объемных материалах.

52. Самосборка при эпитаксии. Осаждение пленок Лэнгмюра-Блоджетт.

53. Нелитографические методы формирования поверхностных периодических наноструктур.

54. Самоорганизованные имплантированные наноразмерные структуры в полупроводниках. Имплантированные квантовые точки в структуре SiGe.

55. Энергонезависимая память на нанокристаллах, синтезированных ионными пучками.

56. Высокотемпературные сверхпроводники в наноэлектронике. Формирование наноразмерной пленарной активной зоны. Датчики магнитного поля. Фотоника волноводных наноразмерных структур. Оптические волокна с фотонно-кристаллической структурой. Типы фотонно-кристаллических волокон. Технология изготовления оптических волокон с фотонно-кристаллической структурой. Формирование фотонной запрещенной зоны с помощью субмикронных брэгговских решеток.

57. Методы формирования индуцированных доменов и периодических доменных структур (ПДС) в сегнетоэлектриках. Образование сегнетоэлектрических доменов в электрических полях. Образование ПДС во внутренних полях.