Основы технологии производства КМОП СБИС

Технология производства комплиментарных МОП структур заключается в формировании n- и p-канальных транзисторов на одном кристалле.

По сравнению с n-канальными МОП ИС КМОП схемы имеют ряд преимуществ. Они потребляют меньшую мощность, имеют большую помехоустойчивость и высокую нагрузочную способность по выходу.

К их недостаткам следует отнести несколько меньшую степень интеграции и большее время переключения, т. к. на каждый функциональный элемент приходится дополнительная площадь. Используются КМОП СБИС в основном в качестве цифровых логических элементов.

Пример технологического процесса изготовления КМОП элемента 0.6µm

На первом этапе в пластине p-типа формируется окно n-типа (рис. 1). Далее проводится легирование подложки примесью p-типа (рис. 2) и окисление кремния для формирования подзатворного диэлектрика. Осаждается маска нитрида кремния (рис. 3), формируется полевая изоляция (рис. 4). Формируются оксидные области, удаляется маска Si₃N₄ (рис. 5). Формируются области поли-Si затворов (рис. 6)

Формируются области истоков/стоков для p-канальных и n-канальных транзисторов (рис.7-10). Формируются оксидные спейсеры (рис. 11). Формируются контакты к областям истоков/стоков (рис. 12). Осаждается межслойный диэлектрик, проводится планаризация (рис. 13). Формируется 1-ый уровень металлизации (рис. 14). Осаждается и планаризуется второй межслойный диэлектрик. (рис. 15).