5. Выращивание монокристаллов из раствора: направленная кристаллизация пересыщенных растворов-расплавов, градиентная зонная плавка.
Выращивание из растворов зачастую является единственным методом, позволяющим получать объемные полупроводниковые монокристаллы с очень высокими температурами плавления (Tпл > 2000◦C, например, алмазы), кристаллы соединений, имеющие при температуре плавления высокое давление паров компонентов (GaP, GaAs, InP и др.). Основным преимуществом этого метода выращивания кристаллов является то, что процесс проводят при значительно более низких температурах, чем кристаллизация из расплавов, что ведет к меньшему загрязнению выращиваемого кристалла. Это часто способствует получению более чистого и совершенного по структуре полупроводникового монокристалла.
При кристаллизации из раствора растворитель должен удовлетворять следующим требованиям: существенно снижать температуру процесса выращивания кристалла; иметь достаточно малое давление собственных паров; не загрязнять выращиваемый кристалл; желательно, чтобы атомы растворителя в кристалле (растворяемое вещество) являлись нейтральной примесью. Подобрать растворитель, удовлетворяющий всем сформулированным требованиям, очень трудно. Различают следующие случаи: 1) растворителем служат вещества, не входящие в состав выращиваемого кристалла (например, H2O для NaCl); 2) растворителем служит один из компонентов выращиваемого кристалла (Ga для GaP).
В первом случае выращиваемые кристаллы содержат в качестве примесей все компоненты растворителя, включая остаточные примеси в нем, поэтому полученные кристаллы имеют невысокую степень чистоты. Во втором случае, поскольку в растворе отсутствуют посторонние вещества, чистота выращиваемых кристаллов определяется только чистотой компонентов, входящих в состав раствора.
При кристаллизации из раствора процесс роста кристалла складывается в общем случае из следующих стадий: 1) растворение исходных компонентов; 2) подвод питающих компонентов к поверхности роста за счет их диффузии через жидкую фазу к фронту кристаллизации; 3) осаждение на фронте кристаллизации и поверхностная диффузия; 4) диффузия в кристалле; 5) отвод теплоты кристаллизации от поверхности роста.
Лимитирующей стадией является, как правило, — диффузия растворенного вещества к фронту кристаллизации. Вследствие этого линейная скорость роста кристаллов из раствора (10−2−10−1 мм/ч), на 2–3 порядка меньше скорости роста из расплавов.
3. Направленная кристаллизация пересыщенных растворов-расплавов. Поместим в длинную кварцевую ампулу лодочку, содержащую чистый нелетучий компонент А, и лодочку, содержащую чистый компонент летучий компонент В. После откачки и запайки ампула помещается в трехзонную печь (рис. 6).
При этом методе требования к стабилизации температур такие же, как и в двух предыдущих, но малая скорость кристаллизации должна обеспечиваться механическим перемещением ампулы. Ввиду малой скорости кристаллизации, обусловленной скоростью диффузии летучего компонента со сравнительно невысокой концентрацией в растворе к поверхности раздела растущего кристалла, даже незначительные колебания скорости перемещения ампулы могут полностью нарушить гладкость фронта кристаллизации. Поэтому для осуществления этого метода рекомендуется использовать прецизионные гидроприводы.
Рис. 6. Выращивание кристаллов соединения АВ методом направленной кристаллизации раствора-расплава
4. Градиентная зонная плавка. Метод градиентной зонной плавки применяют для перекристаллизации заранее синтезированных поликристаллических слитков в монокристаллы и как метод изготовления эпитаксиальных слоев, легированных примесью. Предположим, что требуется нарастить на монокристаллическую подложку арсенида галлия n-типа слой арсенида галлия p-типа. Расположим на подставке монокристаллическую пластину GaAs n-типа, покрытую тонким слоем галлия, легированного акцепторной примесью, и покроем ее сверху второй пластиной арсенида галлия. Выведем печи на рабочий режим и включим радиационный нагрев. Между верхней поверхностью нижней пластины и нижней поверхностью верхней пластины установится небольшой температурный градиент ∆Т. Во время нагрева обе пластины будут постепенно растворяться, и при достижении некоторой температуры между ними образуется перенасыщенный раствор. В результате включения источника радиационного нагрева температура температура верхней пластины становится выше температуры нижней пластины, т.е. по высоте раствора устанавливается градиент температуры и концентрации. Это приводит к постоянному растворению верхней пластины и росту нижней.
При выращивании эпитаксиальных пленок недостатком метода является то, что все посторонние примеси, присутствовавшие на поверхностях пластин, переходят в раствор и внедряются в растущий кристалл. Преимуществом метода считается то, что легко можно получить плоскопараллельную конфигурацию, которая при равномерной температуре нагрева обеспечивает рост пленки равномерной толщины.